赖云锋
教授
2007.2获上海交通大学微电子学与固体电子学博士学位，2007.3-2008.12在法国国家科学研究中心（CNRS）从事博士后研究。近些年，主要研究薄膜和纳米材料、阻变存储技术、适用于人工智能芯片的电子突触技术、针对特定应用的电路与系统。近五年，发表SCI收录的学术论文28篇（其中，以第一作者和通讯作者发表了JCR二区及以上学术论文5篇）。完成国家自然科学基金，福建省自然科学基金和教育部留学回国人员科研启动基金。与中国科学院微电子研究所、上海交通大学及中国科学院宁波材料所建立合作关系，部分优秀研究生已外送联合培养。在微电子学与固体电子学、电路与系统、物理电子学、集成电路工程等专业指导研究生。
电子邮箱：Yunfeng.lai@fzu.edu.cn
 
 
科研项目(Research project)  
12015J01249等离子体修是及其在三维透明阻变存储中的应用研究4福建省科技厅2015-20181 
2LXKQ201104阻变纳米线合成与性能研究4教育部2012-20141 
361006003强磁场辅助阻变纳米线合成与性能研究20国家自然科学基金委2011-20131 
42010J05134阻变纳米线合成与性能研究3福建省科技厅2011-20131 
 
科技论著(Scientific treatise)  
1Thermal stability and data retention of resistive random access memory with HfOx/ZnO double layersChinese Physics B, 2017SCI1
2Ultralow Switching Current in HfOx/ZnO Bilayer with Tunable Switching Power Enabled by Plasma TreatmentApplied Physics Letters, 2016SCI1
3Resistive Switching of Plasma-Treated Zinc Oxide nanowires for Resistive Random Access MemoryNanomaterials, 2016SCI1
4Carbon nanotube intramolecular p-i-n junction diodes with symmetric and asymmetric contactsScientific reports, 2016SCI其它
5Plasma Enhanced Multistate Storage Capability of Single ZnO Nanowire Based MemoryApplied Physics Letters, 2015SCI1
6Temperature-Dependent Photoliminescence and Raman Investigation of Cu-Incorporated ZnO NanorodsJournal of Luminescence, 2015SCI2
7Polarized Raman scattering of single ZnO nanorodJournal of Applied Physics, 2014SCI2
8Defects and Resistive Switching of Zinc Oxide Nanorods with Copper Addition Grown by Hydrothermal Method.Journal of Electronic Meterials, 2014SCI1
9Effects of sulfurization temperature on phases and opto-electrical properties of Cu2ZnSnS4 films prepared by sol-gel depositionThin Solid Films, 2014SCI3
10Organic Grafting on Si for Interfacial SiO2 Growth Inhibition During Chemical Vapor Deposition of HfO2Chemistry of Materials, 2012SCI其它
 
授权专利(Authorized patent)  
1一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法发明专利2018-03-12福州大学1
2一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器及其制备方法发明专利2015-09-09福州大学1