张海忠
教授
教授||博士生导师||“闽江学者奖励计划”特聘教授||新加坡南洋理工大学微电子专业博士学位
||Email: haizhong_zhang@fzu.edu.cn
国家级重大人才计划青年项目入选者,福建省“百人计划”入选者,海外高层次留学人才回国资助项目获得者,曾任中芯国际集成电路制造(上海)有限公司高级研发工程师,香港城市大学助理研究员,新加坡南洋理工大学副研究员,新加坡科研局研究科学家,具有丰富的科研和企业工作经历。主要从事第四代氧化镓半导体材料生长、功率器件与紫外探测器件设计、制备、器件热管理及可靠性等方面的研究。在Advanced Functional Materials,IEEE Electron Device Letters, Applied Physics Letters等高水平期刊上共发表论文40余篇,申请中国专利25项。主持或参与主持多项科技重大项目。

主要研究领域:
1、宽禁带化合物半导体外延生长
2、高压功率器件设计与开发
3、紫外光电探测器件设计与开发
4、半导体器件热管理与可靠性

欢迎有志于在上述相关研究领域开展科研活动的硕士、博士研究生、博士后加入本课题组,课题组可以提供与国内外一些高校联合培养的机会。
 
 
学术及社会兼职(Academic and social work)  
1工信部集成电路领域知识产权鉴定专家
2福建省射频与功率芯片制造工程研究中心外聘专家
3集成电路知识产权联盟专家委员会专家委员
42022年全球青年科技创新论坛专家委员会专家委员
5福建省微电子领域智库专家
6福州市人才促进会海外专委会秘书长
7美国电气和电子工程师协会(IEEE)会员;
8新加坡物理研究协会(Institute of Physics Singapore)终身会员;
9福建省国际人才交流协会理事
10晋江博士协会副会长
 
科研项目(Research project)  
12022HZ027006应用于高功率器件的大尺寸高质量氧化镓材料关键技术研发及产业化500万福建省科技厅2022-20251福建省科技重大专项
2闽人社 【2020】738 号“闽江学者奖 励计划”项目100万元福建省人力资源和社会保障厅2022-2025独立撰编写福建省高层次人才项目
32023人社部高层次留学回国人才项目60万元人力资源和社会保障部2023独立撰编写海外高层次人才项目
 
科技论著(Scientific treatise)  
1Gallium‐Based Semiconductor Integrated Circuits: Past, Present, and Future for Emerging Optoelectronic DevicesAdvanced Functional Materials, 2026, e27869SCI期刊通讯
2β-Ga2O3 Vertical U-Trench MOSFET With Nitrogen-Doped Current Blocking Layer Grown via Ex Situ and In Situ MOCVD EpitaxyIEEE Electron Device Letters, 2026, 47(1): 45-48SCI期刊通讯
3Achieving high carrier concentration β-Ga2O3 epilayers via MOCVD using SiCl4 as dopantApplied Physics Letters, 2026, 128(2): 022106SCI期刊通讯
4Achievement of High‐Quality Gallium Oxide Epitaxial Growth via Machine LearningAdvanced Functional Materials, 2025顶级期刊通讯
5Ultrahigh-Performance Photovoltaic Ga2O3 Solar-Blind Ultraviolet Detectors via Two-Dimensional Step-Flow Growth and Drift Region OptimizationACS Applied Materials & Interfaces, 2025SCI期刊通讯
6In situ nitrogen doping of β-Ga2O3 during MOCVD homoepitaxy: A theoretical and experimental studyApplied Physics Letters, 2025SCI期刊通讯
7Insight into the High Hole Concentration of p-Type Ga2O3 via In Situ Nitrogen DopingThe Journal of Physical Chemistry Letters, 2025, 16(17): 4243-4251.SCI期刊通讯
8Surface Quality Improvement Mechanism of ICP Etching for Ga2O3 Schottky Barrier DiodeMicro and Nanostructures, 2025, 199: 208073SCI期刊通讯
9Nitrogen-doped Ga2O3 current blocking layer using MOCVD homoepitaxy for high-voltage and low-leakage Ga2O3 vertical device fabricationApplied Physics Letters, 2024, 125(20)SCI期刊通讯
10Ga₂O₃ Vertical FinFET With Integrated Schottky Barrier Diode for Low-Loss ConductionIEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71(4): 2530-2535SCI期刊通讯