阮敦宝 教授 本人在电子科技大学（应用物理学）获学士学位、台湾清华大学（核子工程与科学）获硕士学位、台湾交通大学（电子）获博士学位，台湾清华大学（工程与系统科学）获第二博士学位。 主要从事于半导体微纳器件开发，先进器件架构设计，先进制备工艺开发，器件良品率及可靠度优化等相关研究。 目前主要的科研方向如下： 方向1：柔性低温高迁移率薄膜器件； 方向2：多功能非晶氧化物薄膜器件； 方向3：多栅极含锗器件； 方向4：三维垂直堆叠； 教授，博导，硕导，海外旗山学者（校），作为第一作者或主要作者发表的文献整理如下： https://www.researchgate.net/profile/Dun-Bao-Ruan https://orcid.org/0000-0001-6939-5723 https://scholar.google.com/citations?user=UnXWweIAAAAJ&hl=zh-CN 现正招收新入学的博士生及硕士研究生，欢迎有志于微电子工艺领域发展的同学加入团队。 研究生招生信息： 物理与信息工程学院，微电子学院 080900电子科学与技术（学博） 085400电子信息（专硕）/080900电子科学与技术(学硕)/140100集成电路科学与工程（学硕） 先进制造学院(晋江双聘) 085401新一代电子信息技术（含量子技术等）（专硕）/085403集成电路工程（专硕） 本科教学课程：半导体器件物理，微电子学科导论，专家系列讲座 本科毕业设计主题： 1：含锗MOS器件的材料及特性分析（3-4位） 2：非晶氧化物薄膜器件的材料及特性分析（3-4位） 毕业设计内容及要求： 文献阅读，数据分析整理，协助团队研究生完成少量科研课题。 先修半导体器件物理，半导体器件工艺，TCAD模拟等相关课程，或了解器件基本特性，有基本的半导体器件概念的同学优先。 联络方式： E-mail: rsduty@163.com; rsduty@gmail.com 旗山校区：物信学院南楼211 晋江校区：教学楼B307