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阮敦宝
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教授
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本人在电子科技大学（应用物理学）获学士学位、台湾清华大学（核子工程与科学）获硕士学位、台湾交通大学（电子）获博士学位，台湾清华大学（工程与系统科学）获第二博士学位。
主要从事于半导体微纳器件开发，先进器件架构设计，先进制备工艺开发，器件良品率及可靠度优化等相关研究。
目前主要的科研方向如下：
方向1：含锗多栅极器件
方向2：特色低温微纳工艺
方向3：非晶氧化物薄膜器件与材料
方向4：三维垂直堆叠顺序集成
教授，博导，硕导，作为第一作者或主要作者发表的文献整理如下：
https://www.researchgate.net/profile/Dun-Bao-Ruan
https://orcid.org/0000-0001-6939-5723
https://scholar.google.com/citations?user=UnXWweIAAAAJ&hl=zh-CN
现正招收新入学的博士生及硕士研究生，欢迎有志于微电子工艺领域发展的同学加入团队。
研究生招生信息：
博士：（每年共2位，2026年现有名额：2）
物理与信息工程学院，微电子学院
080900电子科学与技术（学博）/140100集成电路科学与工程（学博）/085400电子信息（专博）
硕士：（每年共6位，2026年现有名额：6）
物理与信息工程学院，微电子学院（每年2位或6位，2026年现有名额：2或6）
085400电子信息（专硕）/080900电子科学与技术(学硕)/140100集成电路科学与工程（学硕）
先进制造学院(晋江双聘) （每年4位或0位，2026年现有名额：4或0）
085401新一代电子信息技术（含量子技术等）（专硕）/085403集成电路工程（专硕）
注：学院规定，导师如当年度在先进制造有招硕士的话，本部仅有2个硕士名额，因此会根据当年度联络的学生情况调整两边的招生数。
本科教学课程：半导体器件物理，微电子学科导论，专家系列讲座
硕博课程：现代半导体器件物理，后摩尔时代器件与工艺
本科毕业设计主题：
1：含锗MOS器件的材料及特性分析（3-4位）
2：非晶氧化物薄膜器件的材料及特性分析（3-4位）
毕业设计内容及要求：
文献阅读，数据分析整理，协助团队研究生完成少量科研课题。
先修半导体器件物理，半导体器件工艺，TCAD模拟等相关课程，或了解器件基本特性，有基本的半导体器件概念的同学优先。
同时欢迎打算参加SRTP项目以及各类比赛（集创赛，挑战杯，互联网+，以及各类创新创业大赛）同学联络。
联络方式：
E-mail: rsduty@163.com; rsduty@gmail.com
旗山校区：物信学院南楼211
晋江校区：教学楼B307
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