李悌涛
副教授
李悌涛博士，2020年毕业于中山大学物理学院并取得理学博士学位，现为福州大学微电子系专任教师，副教授，旗山学者，福建省高层次人才（C类），硕士生导师。一直从事宽禁带半导体材料与器件方向的研究，主导围绕“氧化物半导体载流子自由调控”这一核心科学问题开展研究工作，主持国家自然科学基金等多项国家级和省部级科研项目，以第一（或通讯）作者在Adv. Funct. Mater.、IEEE Electron Device Lett.、Appl. Phys. Lett.、IEEE Trans. Electron Devices、J Phys. Chem. Lett.等国际知名期刊发表30余篇高水平论文。

工作经历：
2022.07-至今，福州大学，物理与信息工程学院(微电子系)，硕士生导师
2020.07-2022.07，中山大学，光电材料与技术国家重点实验室，博士后

教育背景：
2017.09-2020.06，中山大学，凝聚态物理，理学博士 (导师：黄丰教授)
2014.09-2017.07，中科院福建物构所，凝聚态物理，理学硕士 (导师：黄丰教授)
2010.09-2014.06，福州大学，应用物理学，理学学士

研究方向：宽禁带半导体材料、微电子器件与外延芯片、光电子器件与集成
擅长氧化物半导体材料的MOCVD外延生长、载流子自由调控(p/n型掺杂)、半导体设备的设计改造等。

招生专业：
物理与信息工程学院：学术型(电子科学与技术080900)、专业型(集成电路工程、新一代电子信息技术)
先进制造学院(晋江校区)：专业型(集成电路工程)

承担教学：
《先进材料与器件》、《电子封装综合实验》、《集成电路制造系统与调度》

作为第一指导老师荣获中国国际大学生创新大赛（2024）国赛金奖，并入选教育部优秀成果展（福建省仅2个），受邀CCTV13央视新闻专访（产业命题赛道唯一），成果于2025年入选中国国家博物馆展出。指导获批2025本科生科研训练计划（SRTP）项目（国家级）。欢迎对新一代半导体材料（Ga2O3、GaN、AlN）、功率电子器件（肖特基二极管、MOS场效应晶体管）、光电子器件（深紫外探测器、紫外LED）等领域，以及对MOCVD外延方向感兴趣的同学联系。
E-mail: litt69@fzu.edu.cn
 
 
学术及社会兼职(Academic and social work)  
1Applied Physics Letters，Journal of Physical Chemistry Letters 等期刊审稿人
 
科研项目(Research project)  
12024J01251高空穴浓度p型氧化镓单晶薄膜的原位掺杂研究10万元福建省面上2024-11-01 至 2027-11-011主持
262204270多步骤的热力学条件控制实现氧化镓中p型掺杂的探索30万元国家自然科学基金（青年）项目 2023-01-01 至 2025-12-311主持
320230801Ga2O3载流子调控及高耐压、低损耗SBD功率器件研究30万元福州大学“旗山学者”奖励支持计划2023-01-01 至 2025-12-31 1主持
4202207020036Ga2O3单晶薄膜能带调控及高性能真空紫外(10-200 nm)探测器的研究12万元教育部-中央高校基本科研业务费青年教师团队项目 2022-01-01 至 2022-12-311主持
519lgyjs06氧化锌中决定高背景载流子浓度的氢杂质的研究5万元教育部-中央高校基本科研业务费优秀研究生创新发展项目2019-01-01 至 2019-12-311主持
62022HZ01090006应用于高功率器件的大尺寸高质量氧化镓材料关键技术研发及产业化500万元福建省重大专项专题项目2022-09-01 至 2025-12-313参与
722075322宽禁带半导体材料本征缺陷的固体核磁共振研究63万元国家自然科学基金（面上）项目2021-01-01 至 2024-12-313参与
821972172原位表征阳离子脱嵌调控的“电化学-化学复合催 化”过程及其在析氧反应中的应用65万元国家自然科学基金（面上）项目2020-01-01 至 2023-12-313参与
99183330012多步骤的热动力学条件控制实现高迁移率、高热稳定性的p型氧化锌300万元国家自然科学基金（重大研究计划）重点项目2013-01-01 至 2018-12-31其它参与
 
科技论著(Scientific treatise)  
1Ultrahigh Gain at Low Bias Achieved in Homoepitaxial Ga2O3 Schottky Photodiode With Low Dark CurrentIEEE Electron Device Letters 2025卓越期刊通讯
2In-situ Nitrogen Doping of β-Ga2O3 During MOCVD Homoepitaxy: A Theoretical and Experimental StudyApplied Physics Letters 2025卓越期刊通讯
3Insight into the High Hole Concentration of p Type Ga2O3 via In Situ Nitrogen Doping.Journal of Physical Chemistry Letters, 2025卓越期刊通讯
4Ultrahigh-Performance Photovoltaic Ga2O3 Solar Blind Ultraviolet Detectors via Two-Dimensional Step Flow Growth and Drift Region OptimizationACS Applied Materials & Interfaces 2025卓越期刊通讯
5氧化镓同质外延及二维“台阶流”生长研究人工晶体学报, 2025SCI期刊1
6High-performance, energy-efficient graphene/Ga2O3 heterojunction solar-blind photodetectors enhanced by carrier- carrier scatteringOptics and Laser Technology 2025卓越期刊通讯
7Nitrogen-doped Ga2O3 current blocking layer using MOCVD homoepitaxy for high-voltage and low-leakage Ga2O3 vertical device fabricationApplied Physics Letters 2024卓越期刊通讯
8Over 2 GW/cm2 low-conduction loss Ga2O3 vertical SBD with self-aligned field plate and mesa terminationApplied Physics Letters 2024卓越期刊通讯
9Theoretical prediction on the stability, elastic, electronic and optical properties of MAB-phase M4AlB4 compounds (M = Cr, Mo, W)RSC Advances, 2024卓越期刊通讯
10Ultrahigh EQE (38.1%) Deep-UV Photodiode with Chemically-Doped Graphene as Hole Transport Layer Advanced Optical Materials, 2022卓越期刊1
11High-Pressure O2 Annealing Enhances the Crystallinity of Ultrawide-Band-Gap Sesquioxides Combined with Graphene for Vacuum-Ultraviolet Photovoltaic Detection ACS Applied Materials & Interfaces, 2021卓越期刊1
12Fermi-Surface Modulation of Graphene Synergistically Enhances the Open-Circuit Voltage and Quantum Efficiency of Photovoltaic Solar-Blind Ultraviolet DetectorsJournal of Physical Chemistry Letters, 2021卓越期刊1
13Experimental Evidence on Stability of N Substitution for O in ZnO LatticeJournal of Physical Chemistry Letters, 2020卓越期刊1
14Hydrogen Impurities in ZnO: Shallow Donors in ZnO Semiconductors and Active Sites for Hydrogenation of Carbon SpeciesJournal of Physical Chemistry Letters, 2020卓越期刊1
15In-plane enhanced epitaxy for step-flow AlN yielding a high-performance vacuum-ultraviolet photovoltaic detectorCrystEngComm, 2020一类核心1
 
获奖成果(Award results)  
1中国国际大学生创新大赛（2024）金奖国家一级2024年10月福州大学1
2福建省大学生创新大赛（2024）金奖省一级2024年9月福州大学1
3富兰光学菁英青年学者奖教金学校一级2025年7月福州大学1
4福建省优秀创新创业导师省一级2024年9月福州大学1
5“旗山学者”奖励支持计划学校一级2023年7月福州大学1
 
授权专利(Authorized patent)  
1一种用于ZnO基LED器件封装的引线电极工艺发明专利2024年7月2日中山大学2
2一种实现氧化锌间隙锂去除的一氧化氮退火工艺及其装置发明专利2021年6月3日中山大学2