许晓锐
副教授
许晓锐博士，2023年毕业于电子科技大学集成电路科学与工程学院并获得工学博士学位，现为福州大学物信学院微电子系专任教师，福建省引进生，硕士生导师。许晓锐博士一直从事功率半导体领域关键性材料、器件与应用方向的研究，围绕“高耐压、低功耗、高可靠性”这一核心科学问题开展研究工作，目前以第一/通讯作者在T-IE、T-PEL、EDL、APL、T-ED、ISPSD等国际知名期刊/会议发表十余篇高水平论文。

2014-2018 电子科技大学 微电子科学与工程 学士
2018-2019 电子科技大学 微电子与固体电子学 硕博连读
2019-2023 电子科技大学 电子科学与技术 博士（硕博导师：陈万军教授）
2023-至今 福州大学物理与信息工程学院 副教授

奖励：
2020年、2021年、2022年博士研究生国家奖学金
第四届中国研究生创“芯”大赛全国总决赛一等奖
2023年四川省优秀毕业生
2023年电子科技大学博士优秀毕业论文
中国电子教育学会2023年度优秀博士学位论文（优秀奖）

平台条件：
材料生长相关：MOCVD、磁控、ALD、PLD等；
器件设计相关：TCAD simulator、L-edit、Altium Designer等；
工艺开发相关：光刻、刻蚀、镀膜等；
器件测试相关：3500 V/300 A 器件静态测试系统（含高低温探针台）和动态参数测试平台（含高精度示波器、大功率源表等）。

硕士招生专业：
物理与信息工程学院：学术型(140100集成电路科学与工程、080900电子科学与技术)、专业型(085401新一代电子信息技术（含量子技术等）、085403集成电路工程)
先进制造学院(晋江)：专业型(085403集成电路工程)

欢迎对新一代氧化镓功率半导体方向感兴趣的同学联系，包括氧化镓/氧化镍材料生长，二极管/MOSFET器件设计、工艺开发和器件应用研究。

E-mail: xrxu@fzu.edu.cn
 
 
学术及社会兼职(Academic and social work)  
1IEEE T-PEL、IEEE T-ED等期刊审稿人
 
科技论著(Scientific treatise)  
1Ga2O3 Vertical SBD With Suspended Field Plate Assisted Shallow Mesa Termination for Multi-kilovolt and Ampere-class ApplicationsIEEE Transactions on Electron Devices 2025一类核心通讯
2Insight into the High Hole Concentration of p-Type Ga2O3 via In Situ Nitrogen DopingJournal of Physical Chemistry Letters 2025卓越期刊通讯
3High-Voltage Ga2O3 Vertical Schottky Barrier Diode With Suspended Field Plate Assisted Shallow Mesa TerminationISPSD 2025EI会议通讯
4Demonstration of β-Ga2O3 vertical Schottky barrier diode with mesa termination assisted partially suspended field plate on MOCVD-grown epitaxial waferApplied Physics Letters 2025卓越期刊通讯
52.87 kV/3.68 mΩ·cm2 Low Forward Voltage Ga2O3 Vertical SBD with Nitrogen-Doped Protecting Ring and Mesa TerminationApplied Physics Letters 2025卓越期刊通讯
6Nitrogen-doped Ga2O3 current blocking layer using MOCVD homoepitaxy for high-voltage and low-leakage Ga2O3 vertical device fabricationApplied Physics Letters 2024卓越期刊1
7Over 2 GW/cm2 low-conduction loss Ga2O3 vertical SBD with self-aligned field plate and mesa termination Applied Physics Letters 2024卓越期刊1
8Ga2O3 Vertical FinFET With Integrated Schottky Barrier Diode for Low-Loss ConductionIEEE Transactions on Electron Devices 2024卓越期刊1
9Demonstration of Surface Treatment for β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode with High Breakdown Voltage and Low Specific On-ResistanceISPSD 2024EI会议1
10Numerical Analysis for a P- Drift Region N-IGBT With Enhanced Dynamic Electric Field Modulation EffectIEEE Transactions on Electron Devices 2022卓越期刊1
11A Novel Thyristor-Based Bidirectional SSCB With Controllable Current Breaking CapabilityIEEE Transactions on Power Electronics 2022卓越期刊1
12Design of a Reliable Bidirectional Solid-State Circuit Breaker for DC MicrogridsIEEE Transactions on Power Electronics 2022卓越期刊通讯
13Design of an Isolated Circuit Breaker With Robust Interruption Capability for DC Microgrid ProtectionIEEE Transactions on Industrial Electronics 2021顶级期刊1
14An Efficient and Reliable Solid- State Circuit Breaker Based on Mixture DeviceIEEE Transactions on Power Electronics 2021卓越期刊1
15Design and Experimental Verification of an Efficient SSCB Based on CS-MCTIEEE Transactions on Power Electronics 2020卓越期刊1
16An Ultralow Loss N-channel RB-IGBT with P-drift RegionIEEE ISPSD 2020EI会议1
17A Novel IGBT With Self- Regulated Potential for Extreme Low EMI NoiseIEEE Electron Device Letters 2019卓越期刊1
18A Novel CSTBT with Hole Barrier for High dV/dt Controllability and Low EMI NoiseIEEE ISPSD 2019EI会议1